Análisis temporal tridimensional del flujo de corriente y efecto fotoeléctrico en dispositivos semiconductores con radiación y voltaje variables aplicados a diferentes temperaturas y composiciones de materiales utilizando un modelo numérico macroscópico de deriva-difusión.

Institución Proponente
Facultad de Ingeniería - FIUNA - UNA
Tipo de organización
Pública
Código
PINV01-623
Objetivo General del Proyecto
El objetivo principal del proyecto es el estudio numérico en el tiempo y el espacio del transporte de cargas portadoras en transistores, fototransistores y paneles solares para mejorar el diseño, la fabricación, detección y desempeño de estos dispositivos.
Resultados Esperados
1. Revisión bibliográfica. Formación de personal calificado. Compra de equipos.
2. Simulación computacional comparativa del modelo de deriva-difusión con datos experimentales.
3. Mejora en la eficiencia de fotocélulas y fototransistores mediante la optimización de parámetros.
4. Difusión de los resultados en al menos un articulo científico en una revista nacional o internacional y una participación en congresos en carácter de ponencia o poster. Transferencia de resultados a instituciones interesadas.
5. Gestión administrativa del proyecto
Monto Financiado por Conacyt (G)
309.000.000
Monto Contrapartida (G)
0
Monto Total (G)
309.000.000
Monto Transferido (G)
247.200.000
Rendicion Presentada (Monto Conacyt) (G)
Estado del Proyecto
En ejecución
Modalidad
Proyectos de Investigación Aplicada
Fecha de Inicio
Fecha de fin de Ejecucion
Fecha de Vigencia
NABs
13.2. I+D relativa a la Ingeniería
UNESCO
3307|3307. TECNOLOGIA ELECTRONICA |Tecnología electrónica
OCDE
2.2|2.2. INGENIERÍA ELÉCTRICA, ELECTRÓNICA [INGENIERÍA ELÉCTRICA, ELECTRÓNICA, INGENIERÍA Y SISTEMAS DE COMUNICACIÓN, INGENIERÍA INFORMÁTICA (SÓLO EQUIPOS) Y OTRAS DISCIPLINAS AFINES]|Ingeniería Eléctrica, Electrónica e Informática
ISIC
No definido
Contratos / Adendas
# Descripción Firma Inicio Fin ejecución Fin vigencia
1 Contrato 06/02/2024 06/02/2024 06/02/2026 07/05/2026
Equipo
# Nombre Rol Resumen formación
1 Giovanni Battista Secchia Gonzalez Investigadores en formación Ingeniero Mecatrónico.
2 Juan Manuel De Egea Investigadores Asociados (nacionales o extranjeros) Ingeniero electromecánico por la Facultad de Ingeniería de la Universidad Nacional de Asunción (FIUNA), Maestría en métodos numéricos para calculo y diseño de ingeniería, Universidad Politécnica de Catalunya, Barcelona, España. Candidato a Doctor por la Universidad Politécnica, Universidad Nacional de Asunción.